7nm 미만급 IC 제조, EUV 노광 통합 가속화

[테크월드=정환용 기자] KLA-Tencor가 칩 제조업체에서 7nm 미만급 로직과 선도적 메모리 설계 노드에 다중 패터닝 기술 및 EUV 노광을 적용할 때 필요한 엄격한 공정관리를 달성하는 데 도움이 되는 패터닝 관리 시스템 5종을 출시했다고 밝혔다.

IC 제조업계에서는 ATL 오버레이 계측 시스템과 ‘스펙트라필름’(SpectraFilm) F1 박막 계측 시스템이 finFET, DRAM, 3D NAND와 여타 여러 가지 최신 디바이스를 제조하면서 거쳐야 하는 여러 가지 공정과 모니터링 과정에 필요한 기술들을 제공한다. ‘테론’(Teron) 640e 레티클 검사 제품군과 LMS IPRO7 레티클 등록 계측 시스템을 이용하면, 마스크숍에서의 EUV와 고급 광학 레티클 개발·인증에도 도움이 된다.

‘5D 애널라이저 X1’ 고급 데이터 분석 시스템은 개방형 아키텍처 접근 방식의 토대를 이뤄 제조 맞춤 분석과 실시간 공정 관리 애플리케이션을 지원한다. 이런 5가지의 신형 시스템은 KLA-Tencor의 다채로운 계측, 검사, 데이터 분석 시스템 포트폴리오를 한층 확장해 여러 가지 공정 변화의 원인을 확인하고 수정할 수 있게 해준다.

7nm 미만의 설계 노드 장치에 적합한 패터닝 관리 시스템으로 출시된 5개 신형 시스템은 다음과 같다.
 
▲ATL 적층 계측 시스템 - 1nm 해상도의 고유 가변 레이저를 사용해 공정 변화가 있을 때 고도로 정확하고 안정적인 오버레이 측정을 자동으로 유지하므로 빠른 기술개발과 생산기술 확보를 지원한다.
▲스펙트라필름 F1 박막 계측 시스템 - 새로운 광학 기술을 활용, 단일·복수 층 박막의 두께와 균일성을 판별해 생산 중 증착 과정을 고도로 정밀하게 모니터링할 수 있다. 밴드갭(bandgap) 데이터를 제공해 라인 종단(end-of-line) 테스트보다 이른 시기에 장치의 전기적 성능을 예측할 수 있다.
▲테론 640e 레티클 검사 시스템 - 광학, 검출기, 알고리즘 강화 항목을 통합해 처리량이 많을 때 중요한 패턴과 미립자 결함을 검출한다. 때문에 첨단 마스크숍에서 EUV, 광학 패터닝 레티클을 개발하고 인증하는 데에도 도움이 된다.
▲LMS IPRO7 레티클 등록 계측 시스템 - 새로운 작동 모드를 활용해 빠른 주기 시간 내에 온 디바이스(on-device) 레티클 패턴 배치 오류를 정확하게 측정한다. 또한, 종합적인 레티클 인증을 실현해 e-빔 마스크 라이터 오류를 수정하고, IC 제조 중에 발생하는 장치 계층 오류에 미치는 레티클 관련 문제의 영향력을 경감한다.
▲5D Analyzer X1 데이터 분석 시스템 - 다양한 계측·공정 툴로부터 데이터를 수용하는 확장형, 개방형 아키텍처를 제공한다. 제조 방식 전반에 걸친 공정 변화에 대해 첨단 분석, 특성화는 물론 실시간 관리까지 지원한다.
 
KLA-Tencor 글로벌 제품 그룹의 아흐마드 칸(Ahmad Khan) 선임 부사장은 “7nm, 5nm 설계 노드의 경우, 칩 제조업체 측에서 제품에 발생한 OPO(On Product Overlay), CD 균일성과 핫스팟의 구체적인 문제와 원인을 찾아내기가 점차 어려워지고 있다”며, “고객들은 각종 레티클과 웨이퍼 공정 단계에서의 배리에이션이 패터닝에 어떤 영향을 미칠지 이해하기 위해, 스캐너 보정을 넘어선 다른 방안을 모색하고 있다. 제조 방식 전반에 걸친 계측과 검사 데이터에 자유롭게 액세스할 수 있게 되면, IC 엔지니어가 공정 문제를 신속하게 짚어내고 발생한 지점에서 직접 관리할 수 있다. 이번에 출시한 5가지 시스템을 비롯한 자사의 시스템은 우리의 기술을 고객사 전문가에게 제공해 각종 웨이퍼, 레티클, 공정 단계에 미치는 패터닝 오류의 영향을 억제하도록 지원하는 역할을 할 것”이라고 말했다.

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