미운오리 D램, 올해 IC 성장 '일등공신'으로 거듭

[테크월드=이나리 기자] 세계 반도체 무역 통계기구(WSTS)가 분류한 33 개의 주요 반도체 IC(Integrated Circuit] 범주 중에서 D램(DRAM)은 지난 몇 년간 성장률 순위가 맨 아래에 있었다. 그러나 D램은 2017년 성장률이 55%을 기록할 것으로 전망되면서 미운 오리에서 전체 IC 시장 성장을 이끄는 일등공신으로 거듭났다. 

8월 15일 시장조사기관 IC인사이츠에 따르면 D램은 2013년과 2014년 각각 32%, 34% 성장률을 기록하며 IC 제품 부문 중 가장 빠르게 성장하는 품목이었다. 그러나 2015년 D램은 -3%, 2016년에는 -8%로 성장이 감소하면서 순위는 26위로 밀려났다. 

D램은 휘발성 기억장치(Volatile Memory)로 주로 PC에 쓰이는데 2015년 PC 시장 침체기와 함께 시스템 요구가 느려졌고 재고가 과도하게 줄어들면서 D램 가격이 급격하게 하락했기 때문이다. 그러나 2017년에 들어서면서 D램의 평균가격은 크게 상승했고, IC 시장 성장율 1위를 기록하며 반전을 일으켰다. 

한편, D램 시장은 국내 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 전체 시장의 75%에 달하는 점유율을 보이며 독주 체제를 유지하고 있다. 2016년 4분기 기준으로 D램 시장에서 삼성전자는 점유율 46.3%를 차지하며 1위, SK하이닉스가 26.3%로 2위, 마이크론이 20.7%로 3위를 기록했다(시장조사기관 IHS). 

시장조사기관 D램익스체인지는 상위 3개 기업의 올해 2분기 서버용 D램 매출이 44억3000만 달러(약 5조59억원)를 기록하면서 지난 분기보다 30.1% 성장했다고 발표했고, 올해 서버용 D램을 중심으로 D램 수요 상승세가 4분기까지 지속될 것으로 예상했다. 

최근 서버용 D램으로 주목 받고 있는 HBM(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램은 기존에 사용되던 D램 칩을 수직으로 연결해 구동속도를 대폭 끌어올린 제품이다. 인공지능과 빅데이터 등 대량의 연산을 처리하는 사업분야에 필요하다.

이와 관련해 삼성전자는 지난 7월 8GB HBM D램 양산을 시작했으며, 내년 상반기에는 양산 규모를 확대해 비중을 50%까지 늘릴 예정이라고 공식 밝혔다. HBM D램을 최초로 선보였던 SK하이닉스 또한 용량을 지속으로 확대하며 기술 개발에 한창이다. 

D램과 더불어 메모리 반도체인 낸드 플래시(NAND Flash) 또한 올해 35% 성장이 전망되며 성장 순위 3위를 기록했다. 이에 따라 낸드 시장에서도 1위인 삼성전자와 5위인 SK하이닉스의 올해 실적 호조가 기대 된다. 지난 2분기 삼성전자는 반도체 부문에서 영업이익 8조 300억 원을 기록했고, SK하이닉스는 사상 최대 영업이익인 3조 507억 원을 달성한 바 있다. 

메모리 반도체 외에 IC 시장에서 높은 성장이 기대되는 분야는 오토모티브다. 오토모티브용 로직은 성장률이 48%로 두번째로 높았고, 산업용/다른 특수 목적 로직이 성장률 32%로 4위, 오토모티브용 아나로그 반도체가 18%로 5위를 차지했다. 

이 외에도 시그널 컨버션(13%), 32비트 MCU(12%), 컴퓨터와 주변장치를 위한 로직(11%), 파워 매니지먼트 아나로그(11%), 16비트 MCU(10%) 등이 두 자릿수 이상의 성장률을 보일 것으로 전망된다.